公开(公告)号：US20140017872A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13547571

申请日：2012-07-12

申请人： JASON F. ROSS ,  CHI-HUA YANG ,  THOMAS J. McINTYRE

发明人： JASON F. ROSS ,  CHI-HUA YANG ,  THOMAS J. McINTYRE

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a metal-insulator-metal capacitor (MIMCap) is disclosed. A first metal layer is provided on top of an oxide layer. A nitride layer is then deposited on the first metal layer. The nitride layer and the first metal layer are etched to form a MIMCap metal layer. The gaps among the MIMCap metal layer are filled with a plasma oxide, and the excess plasma oxide is polished using the nitride layer a polish stop. After removing the nitride layer, a dielectric layer and a second metal layer are deposited on the MIMCap metal layer. Finally, the dielectric layer and the second metal layer are etched to form a set of MIMCap structures.

摘要翻译： 公开了一种用于制造金属 - 绝缘体 - 金属电容器（MIMCap）的方法。 第一金属层设置在氧化物层的顶部。 然后在第一金属层上沉积氮化物层。 蚀刻氮化物层和第一金属层以形成MIMCap金属层。 MIMCap金属层之间的间隙填充有等离子体氧化物，并且使用氮化物层抛光停止来抛光多余的等离子体氧化物。 在去除氮化物层之后，在MIMCap金属层上沉积介电层和第二金属层。 最后，对介电层和第二金属层进行蚀刻以形成一组MIMCap结构。