公开(公告)号：US20110315319A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13166213

申请日：2011-06-22

申请人： JOHN C. FORSTER ,  TAE HONG HA ,  MURALI K. NARASIMHAN ,  XINYU FU ,  ARVIND SUNDARRAJAN ,  XIAOXI GUO

发明人： JOHN C. FORSTER ,  TAE HONG HA ,  MURALI K. NARASIMHAN ,  XINYU FU ,  ARVIND SUNDARRAJAN ,  XIAOXI GUO

IPC分类号： B08B5/00

CPC分类号： H01J37/32082

摘要： Apparatus for processing substrates are disclosed herein. In some embodiments, a substrate processing system may include a process chamber having a first volume to receive a plasma and a second volume for processing a substrate; a substrate support disposed in the second volume; and a plasma filter disposed in the process chamber between the first volume and the second volume such that a plasma formed in the first volume can only flow from the first volume to the second volume through the plasma filter. In some embodiments, the substrate processing system includes a process kit coupled to the process chamber, wherein the plasma filter is disposed in the process kit.

摘要翻译： 本文公开了用于处理衬底的装置。 在一些实施例中，衬底处理系统可以包括具有接收等离子体的第一体积和用于处理衬底的第二体积的处理室; 设置在所述第二体积中的基板支撑件; 以及设置在第一体积和第二体积之间的处理室中的等离子体过滤器，使得形成在第一体积中的等离子体仅能够通过等离子体过滤器从第一体积流到第二体积。 在一些实施例中，衬底处理系统包括耦合到处理室的处理套件，其中等离子体过滤器设置在处理套件中。