公开(公告)号：US20130058559A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13223998

申请日：2011-09-01

申请人： Jochen Rinderknecht ,  Inka Richter ,  Clemens Fitz

发明人： Jochen Rinderknecht ,  Inka Richter ,  Clemens Fitz

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148

摘要： An approach is provided for characterizing discontinuities in semiconductor devices, for example in a metal silicide. An image of an integrated circuit is caused, at least in part, to be received. The image is analyzed for at least one discontinuity in the integrated circuit structure. A relative measure of the at least one discontinuity is determined in comparison to the integrated circuit structure based on analyzing the image.

摘要翻译： 提供了用于表征半导体器件中的不连续性的方法，例如在金属硅化物中。 至少部分地引起集成电路的图像被接收。 分析图像在集成电路结构中的至少一个不连续性。 与基于分析图像的集成电路结构相比，确定至少一个不连续性的相对度量。

公开(公告)号：US08761489B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13223998

申请日：2011-09-01

申请人： Jochen Rinderknecht ,  Inka Richter ,  Clemens Fitz

发明人： Jochen Rinderknecht ,  Inka Richter ,  Clemens Fitz

IPC分类号： G06K9/00 ,  G06K9/68 ,  G06K9/62

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G06T2207/10061 ,  G06T2207/30148

摘要： An approach is provided for characterizing discontinuities in semiconductor devices, for example in a metal silicide. An image of an integrated circuit is caused, at least in part, to be received. The image is analyzed for at least one discontinuity in the integrated circuit structure. A relative measure of the at least one discontinuity is determined in comparison to the integrated circuit structure based on analyzing the image.

摘要翻译： 提供了用于表征半导体器件中的不连续性的方法，例如在金属硅化物中。 至少部分地引起集成电路的图像被接收。 分析图像在集成电路结构中的至少一个不连续性。 与基于分析图像的集成电路结构相比，确定至少一个不连续性的相对度量。