公开(公告)号：US08673746B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13086009

申请日：2011-04-13

申请人： Joel Myron Barnett ,  Richard James William Hill

发明人： Joel Myron Barnett ,  Richard James William Hill

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2258 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention includes methods directed to improved processes for producing a monolayer of sulfur on the surface of a semiconductor. As a surface layer, it functions to passivate the surface; if annealed, it provides a doping element.

摘要翻译： 本发明包括用于在半导体表面上制备单层硫的改进方法的方法。 作为表面层，其功能是钝化表面; 如果退火，则提供掺杂元素。