公开(公告)号：US20090127633A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US12257939

申请日：2008-10-24

申请人： Jong-Sun SEL ,  Jung-Dal CHOI ,  Choong-Ho LEE ,  Ju-Hyuck CHUNG ,  Hee-Soo KANG ,  Dong-uk CHOI

发明人： Jong-Sun SEL ,  Jung-Dal CHOI ,  Choong-Ho LEE ,  Ju-Hyuck CHUNG ,  Hee-Soo KANG ,  Dong-uk CHOI

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, a semiconductor memory device includes a substrate having first and second active regions. The first active region includes a first source and drain regions and the second active region includes a second source and drain regions. A first interlayer dielectric is located over the substrate. A first conductive structure extends through the first interlayer dielectric. A first bit line is on the first interlayer dielectric. A second interlayer dielectric is on the first interlayer dielectric. A contact hole extends through the second and first interlayer dielectrics. The device includes a second conductive structure within the contact hole and extending through the first and second interlayer dielectrics. A second bit line is on the second interlayer dielectric. A width of the contact hole at a bottom of the second interlayer dielectric is less than or substantially equal to a width at a top of the second interlayer dielectric.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体存储器件包括具有第一和第二有源区的衬底。 第一有源区包括第一源区和漏区，第二有源区包括第二源区和漏区。 第一层间电介质位于衬底上。 第一导电结构延伸穿过第一层间电介质。 第一位线位于第一层间电介质上。 第二层间电介质在第一层间电介质上。 接触孔延伸穿过第二和第一层间电介质。 该装置包括接触孔内的第二导电结构并且延伸穿过第一和第二层间电介质。 第二位线位于第二层间电介质上。 第二层间电介质的底部处的接触孔的宽度小于或基本上等于第二层间电介质顶部的宽度。