公开(公告)号：US20080220279A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12036729

申请日：2008-02-25

申请人： Joshua M. POMEROY ,  Holger Grube ,  Andrew Perrella ,  Fern Slew

发明人： Joshua M. POMEROY ,  Holger Grube ,  Andrew Perrella ,  Fern Slew

IPC分类号： H01F1/00 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L29/82 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/307 ,  H01L28/40 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1114 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/12056 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12667 ,  Y10T428/12771 ,  Y10T428/12986 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/249967 ,  Y10T428/24997 ,  Y10T428/31

摘要： A highly charged ion modified device is provided that includes a first metal layer or layers deposited on a substrate and an insulator layer, deposited on the first metal layer, including a plurality of holes therein produced by irradiation thereof with highly charged ions. The metal of a further metal layer, deposited on the insulator layer, fills the plurality of holes in the insulator layer.

摘要翻译： 提供了一种高度带电的离子改性装置，其包括沉积在基底上的第一金属层或沉积在第一金属层上的绝缘体层，其中包括通过高电荷离子照射而产生的多个孔。 沉积在绝缘体层上的另一金属层的金属填充绝缘体层中的多个孔。