公开(公告)号：US5788767A

公开(公告)日：1998-08-04

申请号：US777585

申请日：1996-12-31

申请人： Jun-Cheng Ko ,  Liang-Tung Tony Chang

发明人： Jun-Cheng Ko ,  Liang-Tung Tony Chang

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L23/532 ,  C30B23/08

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/3185 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S117/905

摘要： The present invention is a method for using a single SiN layer as a passivation film. The single layer SiN can be strengthened to withstand stress by adjusting the process parameters during formation of the SiN layer. In general, the process can be changed by increasing the low frequency power 5% during the deposition. Alternatively, the pressure of the SiN deposition may be decreased about 20% in pressure.

摘要翻译： 本发明是使用单个SiN层作为钝化膜的方法。 可以通过在SiN层的形成期间调整工艺参数来加强单层SiN以承受应力。 通常，可以通过在沉积期间增加5％的低频功率来改变该过程。 或者，SiN沉积的压力可以降低约20％的压力。