公开(公告)号：US20090098706A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US11871602

申请日：2007-10-12

申请人： Jun-jung Kim ,  Joo-chan Kim ,  Jae-eon Park ,  Richard Anthony Conti ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  William C. Wille ,  Biao Zuo

发明人： Jun-jung Kim ,  Joo-chan Kim ,  Jae-eon Park ,  Richard Anthony Conti ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  William C. Wille ,  Biao Zuo

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming a trench in a surface of semiconductor substrate and filling the trench with an electrically insulating region having a seam therein. The trench may be filled by depositing a sufficiently thick electrically insulating layer on sidewalls and a bottom of the trench. Curing ions are then implanted into the electrically insulating region at a sufficient energy and dose to reduce a degree of atomic order therein. The curing ions may be ones selected from a group consisting of nitrogen (N), phosphorus (P), boron (B), arsenic (As), carbon (C), argon (Ar), germanium (Ge), helium (He), neon (Ne) and xenon (Xe). These curing ions may be implanted at an energy of at least about 80 KeV and a dose of at least about 5×1014 ions/cm2. The electrically insulating region is then annealed at a sufficient temperature and for a sufficient duration to increase a degree of atomic order within the electrically insulating region.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在半导体衬底的表面中形成沟槽，并用其中具有接缝的电绝缘区填充沟槽。 可以通过在沟槽的侧壁和底部上沉积足够厚的电绝缘层来填充沟槽。 然后将固化离子以足够的能量和剂量注入电绝缘区域以减少其中原子序列的程度。 固化离子可以是选自氮（N），磷（P），硼（B），砷（As），碳（C），氩（Ar），锗（Ge），氦 ），氖（Ne）和氙（Xe）。 这些固化离子可以以至少约80KeV的能量和至少约5×1014个离子/ cm 2的剂量注入。 然后将电绝缘区域在足够的温度下退火并持续足够的时间以增加电绝缘区域内的原子级数。

公开(公告)号：US07838390B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11871602

申请日：2007-10-12

申请人： Jun-jung Kim ,  Joo-chan Kim ,  Jae-eon Park ,  Richard Anthony Conti ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  William C. Wille ,  Biao Zuo

发明人： Jun-jung Kim ,  Joo-chan Kim ,  Jae-eon Park ,  Richard Anthony Conti ,  Zhao Lun ,  Johnny Widodo ,  William C. Wille ,  Biao Zuo

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming a trench in a surface of semiconductor substrate and filling the trench with an electrically insulating region having a seam therein. The trench may be filled by depositing a sufficiently thick electrically insulating layer on sidewalls and a bottom of the trench. Curing ions are then implanted into the electrically insulating region at a sufficient energy and dose to reduce a degree of atomic order therein. The curing ions may be ones selected from a group consisting of nitrogen (N), phosphorus (P), boron (B), arsenic (As), carbon (C), argon (Ar), germanium (Ge), helium (He), neon (Ne) and xenon (Xe). These curing ions may be implanted at an energy of at least about 80 KeV and a dose of at least about 5×1014 ions/cm2. The electrically insulating region is then annealed at a sufficient temperature and for a sufficient duration to increase a degree of atomic order within the electrically insulating region.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在半导体衬底的表面中形成沟槽，并用其中具有接缝的电绝缘区填充沟槽。 可以通过在沟槽的侧壁和底部上沉积足够厚的电绝缘层来填充沟槽。 然后将固化离子以足够的能量和剂量注入电绝缘区域以减少其中原子序列的程度。 固化离子可以是选自氮（N），磷（P），硼（B），砷（As），碳（C），氩（Ar），锗（Ge），氦 ），氖（Ne）和氙（Xe）。 这些固化离子可以以至少约80KeV的能量和至少约5×10 14离子/ cm 2的剂量注入。 然后将电绝缘区域在足够的温度下退火并持续足够的时间以增加电绝缘区域内的原子级数。