公开(公告)号：US20100103742A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12558630

申请日：2009-09-14

申请人： Jung-Seok HWANG ,  Sangwon HWANG ,  Jong-Nam BAEK

发明人： Jung-Seok HWANG ,  Sangwon HWANG ,  Jong-Nam BAEK

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04 ,  G11C7/06

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/344

摘要： A method of operating a nonvolatile memory device includes; performing a verification operation on memory cells while controlling a verification voltage until the memory cells are verification-passed, controlling a level of a bias voltage to be applied to the memory cells according to a level of the verification voltage when the memory cells are verification-passed, and applying the bias voltage to the memory cells.

摘要翻译： 一种非易失性存储装置的操作方法包括： 在对存储单元进行验证的同时控制验证电压的同时对存储单元执行验证操作，当存储单元被验证时根据验证电压的电平来控制施加到存储单元的偏置电压的电平， 通过并将偏置电压施加到存储器单元。