公开(公告)号：US20130042831A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13588092

申请日：2012-08-17

申请人： Kenjiro NISHIYUKI ,  Masahiro KAWAKATSU ,  Yoshihiro NAKAMURA ,  Masayoshi MATSUI ,  Shunsuke MAEDA ,  Tadashi WATANABE

发明人： Kenjiro NISHIYUKI ,  Masahiro KAWAKATSU ,  Yoshihiro NAKAMURA ,  Masayoshi MATSUI ,  Shunsuke MAEDA ,  Tadashi WATANABE

IPC分类号： F23Q7/00

CPC分类号： F23Q7/001 ,  F02P19/028 ,  F23Q2007/002 ,  G01L23/10

摘要： A glow plug in which a convex portion (70) is formed in an outer peripheral surface (10b) of a heater (10) in a part facing an inner peripheral surface (137b) of a leading end part (137) of a housing (110) and interposed in a leading end side annular gap K1, so as to maintain a gap with the inner peripheral surface (137b). A decline in detection accuracy can be prevented to the extent that combustion gas can be received by the leading end (72) of the convex portion (70) even if soot clogging should occur.

摘要翻译： 一种电热塞，其中，在与外壳的前端部（137）的内周面（137b）相对的一部分中，在加热器（10）的外周面（10b）上形成有凸部（70） 110）并且插入在前端侧环形间隙K1中，以便与内周面（137b）保持间隙。 即使发生烟灰堵塞，也可以防止由于凸部（70）的前端部（72）接收燃烧气体的程度的检测精度的下降。

公开(公告)号：US20080211052A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12027425

申请日：2008-02-07

申请人： Tadashi WATANABE ,  Hajime MATSUDA

发明人： Tadashi WATANABE ,  Hajime MATSUDA

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/8128

摘要： A method for fabricating a field effect transistor includes: forming an insulating film provided on a semiconductor layer, the insulating film having an opening via which a surface of the semiconductor layer is exposed and including silicon oxide; forming a Schottky electrode on the insulating film and in the opening, the Schottky electrode having an overhang portion and having a first contact layer that is provided in a region contacting the insulating film and contains oxygen, and a second contact layer that is provided on the first contact layer and contains a smaller content of oxygen than that of the first contact layer; and removing the insulating film by a solution including hydrofluoric acid.

摘要翻译： 一种用于制造场效应晶体管的方法，包括：形成设置在半导体层上的绝缘膜，所述绝缘膜具有暴露所述半导体层的表面并且包括氧化硅的开口; 在所述绝缘膜上和所述开口中形成肖特基电极，所述肖特基电极具有突出部分，并且具有设置在与所述绝缘膜接触并包含氧的区域中的第一接触层，以及设置在所述绝缘膜上的第二接触层 第一接触层并且含有比第一接触层的氧更小的氧含量; 并通过包含氢氟酸的溶液除去绝缘膜。

公开(公告)号：US20110279901A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13102189

申请日：2011-05-06

申请人： Tadashi WATANABE

发明人： Tadashi WATANABE

IPC分类号： G02B5/28

CPC分类号： G02B5/285

摘要： A multilayer filter includes a multilayer part in which a layer composed of a first material and a layer composed of a second material having a refractive index different from that of the first material are stacked in an alternating pattern. The multilayer part has a cyclic film-thickness structure in which three or more layers are defined as one cycle.

摘要翻译： 多层过滤器包括多层部分，其中以交替图案堆叠由第一材料构成的层和由具有与第一材料的折射率不同的第二材料构成的层。 多层部分具有循环膜 - 厚度结构，其中三层或更多层被定义为一个循环。