公开(公告)号：US09153664B2

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：US14285649

申请日：2014-05-23

申请人： Kiyotaka Imai ,  Young-Gwon Kim ,  Shigenobu Maeda ,  Soon-Chul Hwang

发明人： Kiyotaka Imai ,  Young-Gwon Kim ,  Shigenobu Maeda ,  Soon-Chul Hwang

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a semiconductor device is provided, which includes forming a screen layer on a substrate, the screen layer including a first portion doped with a first type impurity, forming a first undoped semiconductor layer on the screen layer, forming a gate structure on the first semiconductor layer, forming a first amorphous region on both sides of the gate structure in the first semiconductor layer, and re-crystallizing the first amorphous region through performing a first heat treatment of the first amorphous region.

摘要翻译： 提供一种制造半导体器件的方法，其包括在衬底上形成屏幕层，所述屏幕层包括掺杂有第一类型杂质的第一部分，在所述屏幕层上形成第一未掺杂半导体层，形成栅极结构 第一半导体层，在第一半导体层中的栅极结构的两侧上形成第一非晶区，并且通过进行第一非晶区的第一热处理，使第一非晶区再结晶。