公开(公告)号：US08330223B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12874403

申请日：2010-09-02

申请人： Klaus Schimpf ,  Manfred Schiekofer ,  Carl David Willis ,  Michael Waitschull ,  Wolfgang Ploss

发明人： Klaus Schimpf ,  Manfred Schiekofer ,  Carl David Willis ,  Michael Waitschull ,  Wolfgang Ploss

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L29/737 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66242

摘要： A bipolar transistor has a collector having a base layer provided thereon and a shallow trench isolation structure formed therein. A base poly layer is provided on the shallow trench isolation structure. The shallow trench isolation structure defines a step such that a surface of the collector projects from the shallow trench isolation structure adjacent the collector.

摘要翻译： 双极晶体管具有设置在其上的基极层和在其中形成的浅沟槽隔离结构的集电极。 在浅沟槽隔离结构上设置基底多层。 浅沟槽隔离结构限定了一个步骤，使得集电器的表面从邻近收集器的浅沟槽隔离结构突出。