公开(公告)号：US5041897A

公开(公告)日：1991-08-20

申请号：US599333

申请日：1990-10-17

申请人： Koji Machida ,  Hideyuki Nakamura ,  Hiroshi Tonegi

发明人： Koji Machida ,  Hideyuki Nakamura ,  Hiroshi Tonegi

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L23/525 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device has a fuse element formed on an insulating substrate, and a first insulating layer formed on the substrate and covering the fuse element. Further insulation on the first insulating layer nitride has an opening exposing the region of the first insulating layer above said fuse.

摘要翻译： 半导体器件具有形成在绝缘基板上的熔丝元件和形成在基板上并覆盖熔丝元件的第一绝缘层。 在第一绝缘层氮化物上的进一步绝缘具有使第一绝缘层的区域暴露在所述熔丝之上的开口。