公开(公告)号：US20120221983A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13399096

申请日：2012-02-17

申请人： Kuen-Yu Tsai ,  Chun-Hung Liu ,  Philip C.W. Ng ,  Pei-Lin Tien

发明人： Kuen-Yu Tsai ,  Chun-Hung Liu ,  Philip C.W. Ng ,  Pei-Lin Tien

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/31769

摘要： A method for compensating proximity effects of particle beam lithography processes is provided. The method includes the following steps. A control pattern is provided. A dissection process is provided. A set of control points are provided. The control pattern is defined as an input pattern of a lithography process. A target pattern is provided. A set of target points are produced. A set of target measurement values are provided. An actual pattern is defined. A set of actual measurement values are provided. A set of comparison values are calculated. An adjusting strategy is provided. A corrected pattern is produced. The corrected pattern is defined as an updated input of the lithography process.

摘要翻译： 提供了一种用于补偿粒子束光刻工艺的邻近效应的方法。 该方法包括以下步骤。 提供控制模式。 提供解剖过程。 提供一组控制点。 控制图形被定义为光刻工艺的输入图案。 提供目标模式。 产生一组目标点。 提供一组目标测量值。 定义了一个实际的模式。 提供一组实际测量值。 计算一组比较值。 提供调整策略。 产生校正图案。 校正图案被定义为光刻工艺的更新输入。