公开(公告)号：US20080128913A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11924538

申请日：2007-10-25

申请人： Li-Shu Chen ,  Philip C. Smith ,  Steven M. Buchoff ,  Joel Frederick Rosenbaum ,  Joel Barry Schneider ,  Witold J. Malkowski

发明人： Li-Shu Chen ,  Philip C. Smith ,  Steven M. Buchoff ,  Joel Frederick Rosenbaum ,  Joel Barry Schneider ,  Witold J. Malkowski

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/7722 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In one embodiment, the disclosure relates to a method for forming a semiconductor power device by depositing a first layer of TiW on a gate region and a source region, depositing a second layer of refractory metal over the first layer of TiW at the gate region, depositing a dielectric stack over the second layer of refractory metal and a portion of the first layer of TiW, depositing an etch stop layer over a portion of the dielectric stack, depositing an interconnect layer over the etch stop layer and the dielectric stack and depositing an etch mask over the interconnect layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，本公开涉及一种通过在栅极区域和源极区域上沉积TiW的第一层来形成半导体功率器件的方法，在栅极区域上在第一TiW层上沉积第二层难熔金属， 在第二耐火金属层和TiW的第一层的一部分上沉积电介质堆叠，在电介质堆叠的一部分上沉积蚀刻停止层，在蚀刻停止层和电介质叠层上沉积互连层，并沉积 在互连层上的蚀刻掩模。