公开(公告)号：US06900082B2

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：US10373378

申请日：2003-02-24

申请人： Man Wong ,  Tianfu Ma ,  Zhiguo Meng

发明人： Man Wong ,  Tianfu Ma ,  Zhiguo Meng

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/2022

摘要： The present invention provides a method for forming metal-induced laterally crystallized polysilicon in which the metal residue is reduced. A first low temperature lateral crystallization is performed using a metal crystallization-inducing agent such as nickel or a nickel compound. A second lateral crystallization is then carried out which may be either a low-temperature crystallization using metal residue from the first crystallization as the metal crystallization-inducing agent, or may be a high temperature crystallization that does not require a metal.

摘要翻译： 本发明提供一种金属化的横向结晶多晶硅的形成方法，其中金属残渣被还原。 使用金属结晶诱导剂如镍或镍化合物进行第一低温横向结晶。 然后进行第二横向结晶，其可以是使用来自第一结晶的金属残余物作为金属结晶诱导剂的低温结晶，或者可以是不需要金属的高温结晶。