公开(公告)号：US20050061106A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10939156

申请日：2004-09-10

申请人： Masayuki Ibaraki ,  Kenji Iwamoto

发明人： Masayuki Ibaraki ,  Kenji Iwamoto

IPC分类号： B22F3/14 ,  C22C1/04 ,  C22C27/04 ,  C23C14/34

CPC分类号： C22C27/04 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414 ,  B22F3/15

摘要： A sintered sputtering target for forming a high purity metal Mo thin film having a remarkably little particle generation is provided. A high purity metal Mo coarse powder as a raw material is provided for making this target. The sintered sputtering target has a theoretical density ratio of 98% or more. The target is obtained by sintering the high purity metal Mo coarse powder. This particle powder has the high purity of 99.99 or more % by mass and an average particle diameter of 5.5 to 7.5 μm.

摘要翻译： 提供了用于形成具有非常少的颗粒生成的高纯度金属Mo薄膜的烧结溅射靶。 提供高纯度金属钼粗粉作为原料，用于制造该目标。 烧结溅射靶的理论密度比为98％以上。 目标是通过烧结高纯度金属钼粗粉而获得的。 该粒子粉末的纯度高达99.99质量％以上，平均粒径为5.5〜7.5μm。

公开(公告)号：US07534282B2

公开(公告)日：2009-05-19

申请号：US10939156

申请日：2004-09-10

申请人： Masayuki Ibaraki ,  Kenji Iwamoto

发明人： Masayuki Ibaraki ,  Kenji Iwamoto

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F3/00

CPC分类号： C22C27/04 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414 ,  B22F3/15

摘要： A sintered sputtering target for forming a high purity metal Mo thin film having a remarkably little particle generation is provided. A high purity metal Mo coarse powder as a raw material is provided for making this target. The sintered sputtering target has a theoretical density ratio of 98% or more. The target is obtained by sintering the high purity metal Mo coarse powder. This particle powder has the high purity of 99.99 or more % by mass and an average particle diameter of 5.5 to 7.5 μm.

摘要翻译： 提供了用于形成具有非常少的颗粒生成的高纯度金属Mo薄膜的烧结溅射靶。 提供高纯度金属钼粗粉作为原料，用于制造该目标。 烧结溅射靶的理论密度比为98％以上。 目标是通过烧结高纯度金属钼粗粉而获得的。 该粒子粉末的纯度高达99.99质量％以上，平均粒径为5.5〜7.5μm。