公开(公告)号：US06313488B1

公开(公告)日：2001-11-06

申请号：US09333296

申请日：1999-06-15

申请人： Mietek Bakowski ,  Bo Breitholtz ,  Ulf Gustafsson ,  Lennart Zdansky

发明人： Mietek Bakowski ,  Bo Breitholtz ,  Ulf Gustafsson ,  Lennart Zdansky

IPC分类号： H01L29737

CPC分类号： H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/739

摘要： A bipolar transistor having at least a low doped drift layer (14) of crystalline SiC comprises at least one first layer (13) of a semi-conductor material having a wider energy gap between the conduction band and the valence band than an adjacent layer (14) of SiC.

摘要翻译： 具有晶体SiC的至少低掺杂漂移层（14）的双极晶体管包括半导体材料的至少一个第一层（13），其在导带和价带之间具有比相邻层更宽的能隙（ 14）。