公开(公告)号：US20060057469A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10543467

申请日：2004-02-02

申请人： Mitsuhiro Kureishi ,  Hideoki Mitsui

发明人： Mitsuhiro Kureishi ,  Hideoki Mitsui

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/46 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58

摘要： A low reflective photomask blank suitable for shortened exposure wavelengths is disclosed. A photomask blank (1) having a single-layer or multilayer light-shielding film (3) arranged on a translucent substrate (2) and mainly containing a metal is characterized by comprising an antireflective film (6), which at least contains silicon and oxygen and/or nitrogen, on the light-shielding film (3).

摘要翻译： 公开了适合于缩短曝光波长的低反射光掩模坯料。 具有设置在半透明基板（2）上并主要包含金属的单层或多层遮光膜（3）的光掩模坯料（1）的特征在于包括至少含有硅的抗反射膜（6） 氧和/或氮，在遮光膜（3）上。