公开(公告)号：US08592796B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13326490

申请日：2011-12-15

申请人： Myoung Sul Yoo ,  Jae Min Oh ,  Ky Hyun Han

发明人： Myoung Sul Yoo ,  Jae Min Oh ,  Ky Hyun Han

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/1683

摘要： A phase-change random access memory device includes a semiconductor substrate, an interlayer dielectric layer formed over the semiconductor substrate and having contact holes defined therein, metal contacts formed in the contact holes, an ohmic contact layer formed over the metal contacts and having recesses defined therein, and switching elements formed over the recesses of the ohmic contact layer.

摘要翻译： 相变随机存取存储器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上并具有限定在其中的接触孔的层间绝缘层，形成在接触孔中的金属触点，形成在金属触点上并具有凹陷的欧姆接触层 以及形成在欧姆接触层的凹部上方的开关元件。