公开(公告)号：US20040059559A1

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：US10668974

申请日：2003-09-24

申请人： NEC Electronics Corporation

发明人： Takashi Shimizu ,  Hironori Sakamoto

IPC分类号： G06F017/50

CPC分类号： G06F17/5036

摘要： From the data of diffusion-length-dependent parameters extracted from the parameters of the transistor model of MOS transistors and from the parameters of transistors having various diffusion lengths, a diffusion-length-dependent parameter correcting unit creates approximate expressions of the diffusion length dependence of these parameters, and calculates parameter correction values to be used instead of original parameter values by using the created approximate expressions. Hence, the correction values can be used easily instead of the original parameter values, whereby a transistor model of MOS transistors having a different diffusion length DL can be created easily. Circuit simulation in consideration of the diffusion length dependence of the drain currents of MOS transistors can thus be carried out, whereby highly accurate simulation can be attained.

摘要翻译： 根据从MOS晶体管的晶体管模型的参数和具有各种扩散长度的晶体管的参数提取的扩散长度相关参数的数据，扩散长度相关参数校正单元产生扩散长度依赖性的近似表达式 这些参数，并通过使用创建的近似表达式计算要使用的参数校正值而不是原始参数值。 因此，可以容易地使用校正值而不是原始参数值，由此可以容易地创建具有不同扩散长度DL的MOS晶体管的晶体管模型。 考虑到MOS晶体管的漏极电流的扩散长度依赖性的电路仿真可以进行，从而可以实现高精度的仿真。