公开(公告)号：US20160104676A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：US14849469

申请日：2015-09-09

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Paul Huiskamp ,  Godfried Henricus Josephus Notermans

IPC: H01L23/522

Abstract: The present disclosure relates to a semiconductor device comprising a metallisation stack. The metallisation stack may include a first metallisation layer and a second metallisation layer. The first metallisation layer may be electrically connected to the second metallisation layer by a two or more stacked inter-metal vias.

Abstract translation: 本公开涉及包括金属化堆叠的半导体器件。 金属化堆叠可以包括第一金属化层和第二金属化层。 第一金属化层可以通过两个或更多个堆叠的金属间通孔电连接到第二金属化层。