公开(公告)号：US08629065B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US12614313

申请日：2009-11-06

申请人： Philippe Spiberg ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Bernard Scanlan ,  Vitali Soukhoveev

发明人： Philippe Spiberg ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Bernard Scanlan ,  Vitali Soukhoveev

IPC分类号： H01L31/036

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403

摘要： A method of growing planar non-polar m-plane III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane Sapphire substrate, using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The method includes in-situ pretreatment of the substrate at elevated temperatures in the ambient of ammonia and argon, growing an intermediate layer such as an aluminum nitride (AlN) or aluminum-gallium nitride (AlGaN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-Nitride epitaxial layer on the intermediate layer using HVPE. Various alternative methods are disclosed.

摘要翻译： 生长平面非极性m面III氮化物材料的方法，例如m面氮化镓（GaN）外延层，其中III-氮化物材料在合适的衬底上生长，例如m面蓝宝石 底物，采用氢化物气相外延（HVPE）。 该方法包括在氨和氩的环境中在升高的温度下原位预处理衬底，在退火的衬底上生长诸如氮化铝（AlN）或铝 - 氮化镓（AlGaN）的中间层， 使用HVPE在中间层上的极性m面III-氮化物外延层。 公开了各种替代方法。

公开(公告)号：US20110108954A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12614313

申请日：2009-11-06

申请人： Philippe Spiberg ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Bernard Scanlan ,  Vitali Soukhoveev

发明人： Philippe Spiberg ,  Hussein S. El-Ghoroury ,  Alexander Usikov ,  Alexander Syrkin ,  Bernard Scanlan ,  Vitali Soukhoveev

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403

摘要： A method of growing planar non-polar m-plane III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane Sapphire substrate, using hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The method includes in-situ pretreatment of the substrate at elevated temperatures in the ambient of ammonia and argon, growing an intermediate layer such as an aluminum nitride (AlN) or aluminum-gallium nitride (AlGaN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-Nitride epitaxial layer on the intermediate layer using HVPE. Various alternative methods are disclosed.

摘要翻译： 生长平面非极性m面III氮化物材料的方法，例如m面氮化镓（GaN）外延层，其中III-氮化物材料在合适的衬底上生长，例如m面蓝宝石 底物，采用氢化物气相外延（HVPE）。 该方法包括在氨和氩的环境中在升高的温度下原位预处理衬底，在退火的衬底上生长诸如氮化铝（AlN）或铝 - 氮化镓（AlGaN）的中间层， 使用HVPE在中间层上的极性m面III-氮化物外延层。 公开了各种替代方法。