公开(公告)号：US07601621B2

公开(公告)日：2009-10-13

申请号：US11798083

申请日：2007-05-10

申请人： Pun Jae Choi ,  Masayoshi Koike ,  Lee Jong Ho

发明人： Pun Jae Choi ,  Masayoshi Koike ,  Lee Jong Ho

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/32

摘要： A method of forming surface irregularities comprises preparing a GaN substrate; forming a mask on a surface of the GaN substrate, the mask defining a surface-irregularity formation region; and wet-etching portions of the surface of the GaN substrate by using the mask as an etching mask. The wet-etching of the GaN substrate is performed until the end of one surface of the GaN substrate to be formed by the wet-etching using the mask meets the end of another surface of the GaN substrate to be formed by the wet-etching using the mask, the another surface being adjacent to the one surface.

摘要翻译： 形成表面凹凸的方法包括制备GaN衬底; 在所述GaN衬底的表面上形成掩模，所述掩模限定表面不规则形成区域; 以及通过使用掩模作为蚀刻掩模将GaN衬底的表面的湿蚀刻部分。 执行GaN衬底的湿蚀刻，直到通过使用掩模的湿蚀刻形成的GaN衬底的一个表面的端部与通过湿蚀刻形成的GaN衬底的另一表面的端部相接合，使用 该掩模，另一个表面与该表面相邻。

公开(公告)号：US20080044937A1

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：US11798083

申请日：2007-05-10

申请人： Pun Jae Choi ,  Masayoshi Koike ,  Lee Jong Ho

发明人： Pun Jae Choi ,  Masayoshi Koike ,  Lee Jong Ho

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/32

摘要： A method of forming surface irregularities comprises preparing a GaN substrate; forming a mask on a surface of the GaN substrate, the mask defining a surface-irregularity formation region; and wet-etching portions of the surface of the GaN substrate by using the mask as an etching mask. The wet-etching of the GaN substrate is performed until the end of one surface of the GaN substrate to be formed by the wet-etching using the mask meets the end of another surface of the GaN substrate to be formed by the wet-etching using the mask, the another surface being adjacent to the one surface.

摘要翻译： 形成表面凹凸的方法包括制备GaN衬底; 在所述GaN衬底的表面上形成掩模，所述掩模限定表面不规则形成区域; 以及通过使用掩模作为蚀刻掩模将GaN衬底的表面的湿蚀刻部分。 执行GaN衬底的湿蚀刻，直到通过使用掩模的湿蚀刻形成的GaN衬底的一个表面的端部与通过湿蚀刻形成的GaN衬底的另一表面的端部相接合，使用 该掩模，另一个表面与该表面相邻。