公开(公告)号：US06787885B2

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10287883

申请日：2002-11-04

申请人： Robert H. Esser ,  Karl D. Hobart ,  Francis J. Kub

发明人： Robert H. Esser ,  Karl D. Hobart ,  Francis J. Kub

IPC分类号： H01L2904

CPC分类号： H01L29/66333 ,  H01L21/187 ,  H01L23/482 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making an electronic device comprising the steps of: providing a plurality of wafers, each wafer comprising a bonding surface; etching one or more trenches into one or more bonding surfaces, the trenches substantially perpendicular to a preferred direction of diffusion along one or more of the bonding surfaces; rendering the bonding surfaces hydrophobic; and bonding the bonding surfaces together by direct wafer bonding. A semiconductor structure comprising a plurality of wafers, each wafer comprising a bonding surface, one or more bonding surfaces comprising one or more trenches substantially perpendicular to a preferred direction of diffusion along one or more of the bonding surfaces; and the bonding surfaces bonded together by a direct wafer bonding interface.

摘要翻译： 一种制造电子器件的方法，包括以下步骤：提供多个晶片，每个晶片包括接合表面; 将一个或多个沟槽蚀刻成一个或多个接合表面，所述沟槽基本上垂直于沿着一个或多个所述接合表面的优选扩散方向; 使粘合表面疏水; 并通过直接晶片接合将结合表面结合在一起。 一种包括多个晶片的半导体结构，每个晶片包括接合表面，一个或多个结合表面，包括一个或多个基本上垂直于优选的沿着一个或多个粘结表面的扩散方向的沟槽; 以及通过直接晶片接合界面结合在一起的接合表面。