公开(公告)号：US20130049111A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13410739

申请日：2012-03-02

申请人： Ryo WADA ,  Kaori Yoshioka ,  Norio Yasuhara ,  Tomoko Matsudai ,  Yuichi Goto

发明人： Ryo WADA ,  Kaori Yoshioka ,  Norio Yasuhara ,  Tomoko Matsudai ,  Yuichi Goto

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/8611 ,  Y10S257/91

摘要： According to one embodiment, in a dielectric isolation substrate, an insulating film having a first thickness is provided on a semiconductor substrate. A semiconductor layer of a first conductivity type having a second thickness is provided on the insulating film. An impurity diffusion layer of a second conductivity type is provided partially in a lower portion of the semiconductor layer and is in contact with the insulating film.

摘要翻译： 根据一个实施例，在绝缘隔离衬底中，在半导体衬底上设置具有第一厚度的绝缘膜。 具有第二厚度的第一导电类型的半导体层设置在绝缘膜上。 第二导电类型的杂质扩散层部分地设置在半导体层的下部并与绝缘膜接触。