公开(公告)号：US20150241780A1

公开(公告)日：2015-08-27

申请号：US14607252

申请日：2015-01-28

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Kyeng-Min PARK ,  Jin-Ho KIM

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC classification number: G03F7/30 ,  G03F7/0017 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38

Abstract: In a method of an insulation layer structure, a first photosensitive layer is formed on a substrate. The first photosensitive layer is partially exposed to form a first pattern and a second pattern. The second pattern includes silicon oxide. A second photosensitive layer is formed on the second pattern. The second photosensitive layer is partially exposed to form a third pattern and a fourth pattern. The fourth pattern includes silicon oxide. The first pattern is removed by performing a first developing process. The third pattern is removed by performing a second developing process.

Abstract translation: 在绝缘层结构的方法中，在基板上形成第一感光层。 第一感光层部分地暴露以形成第一图案和第二图案。 第二图案包括氧化硅。 第二感光层形成在第二图案上。 第二感光层被部分曝光以形成第三图案和第四图案。 第四图案包括氧化硅。 通过执行第一显影过程来去除第一图案。 通过执行第二显影过程来去除第三图案。