公开(公告)号：US09246083B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US14498465

申请日：2014-09-26

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Kilho Lee ,  Ki Joon Kim ,  Se Woong Park

IPC: H01L21/8238 ,  H01L43/12 ,  H01L29/82 ,  H01L27/108 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82

Abstract: Memory devices and methods of fabricating the same include a substrate including a cell region and a peripheral circuit region, data storages on the cell region, first bit lines on and coupled to the data storages, first contacts coupled to peripheral transistors on the peripheral circuit region, and second bit lines on and coupled to the first contacts. The second bit lines may each have a lowermost surface lower than a lowermost surface of the data storages.

Abstract translation: 存储器件及其制造方法包括：包括单元区域和外围电路区域的衬底，在单元区域上的数据存储，在数据存储器上并耦合到数据存储器的第一位线，耦合到外围电路区域上的外围晶体管的第一触点 以及在第一触点上并耦合到第一触点的第二位线。 第二位线可以各自具有低于数据存储器的最低表面的最下表面。