公开(公告)号：US20030122326A1

公开(公告)日：2003-07-03

申请号：US10315230

申请日：2002-12-10

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Tae-Won Lee ,  Do-In Bae ,  Guk-Kwang Kim ,  Wan-Goo Hwang ,  Jaung-Joo Kim

IPC: F16J015/10

CPC classification number: F16J15/0806 ,  F05C2201/021 ,  F05C2201/0412 ,  F05C2201/0475

Abstract: A metal gasket for a semiconductor fabrication chamber capable of preventing base plate metal contamination in the chamber, wherein the metal gasket includes a diffusion barrier layer interposed between a base plate and an anti-corrosive coating layer, and wherein the diffusion barrier layer prevents elements of the base plate from being diffused to the anti-corrosive coating layer. Accordingly, the diffusion barrier layer prevents attack on the anti-corrosive coating layer.

Abstract translation: 一种用于半导体制造室的金属衬垫，其能够防止腔室中的底板金属污染，其中金属衬垫包括介于基板和防腐蚀涂层之间的扩散阻挡层，并且其中扩散阻挡层防止 基板被扩散到防腐蚀涂层。 因此，扩散阻挡层防止对防腐蚀涂层的侵蚀。