公开(公告)号：US07361606B2

公开(公告)日：2008-04-22

申请号：US11564308

申请日：2006-11-29

申请人： Sang Gab Kim ,  Shi Yul Kim ,  Min Seok Oh ,  Hong Kee Chin

发明人： Sang Gab Kim ,  Shi Yul Kim ,  Min Seok Oh ,  Hong Kee Chin

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23F4/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  H01L21/32136

摘要： A method of forming a metal line is provided. A first metal layer and a second metal layer protecting the first metal layer are formed on a base substrate. The first metal layer includes aluminum or aluminum alloy. A photoresist pattern having a linear shape is formed on the second metal layer. The first and second metal layers are dry-etched using etching gas and the photoresist pattern as an etching mask. An etching material is removed from the base substrate, to prevent corrosion of the dry-etched first metal layer. Therefore, the source metal pattern without corrosion may be formed through a dry-etching process so that a manufacturing cost is decreased.

摘要翻译： 提供一种形成金属线的方法。 在基底基板上形成保护第一金属层的第一金属层和第二金属层。 第一金属层包括铝或铝合金。 在第二金属层上形成具有直线形状的光致抗蚀剂图案。 使用蚀刻气体和光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对第一和第二金属层进行干蚀刻。 从基底基板去除刻蚀材料，以防止干蚀刻的第一金属层的腐蚀。 因此，可以通过干蚀刻工艺形成没有腐蚀的源极金属图案，从而降低了制造成本。