公开(公告)号：US06784077B1

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：US10270973

申请日：2002-10-15

申请人： Shih-Chi Lin ,  Chih Chung Lee ,  Guey Bao Huang ,  Szu-An Wu ,  Ying Lang Wang ,  Chun Chun Yeh

发明人： Shih-Chi Lin ,  Chih Chung Lee ,  Guey Bao Huang ,  Szu-An Wu ,  Ying Lang Wang ,  Chun Chun Yeh

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/76224

摘要： A method of forming a silicon oxide, shallow trench isolation (STI) region, featuring a silicon rich, silicon oxide layer used to protect the STI region from a subsequent wet etch procedure, has been developed. The method features depositing a silicon oxide layer via PECVD procedures, without RF bias, using a high silane to oxygen ratio, resulting in a silicon rich, silicon oxide layer, located surrounding the STI region. The low etch rate of the silicon rich, silicon oxide layer, protect the silicon oxide STI region from buffered hydrofluoric wet etch procedures, used for removal of a dioxide pad layer.

摘要翻译： 已经开发了一种形成氧化硅，浅沟槽隔离（STI）区域的方法，其特征在于用于保护STI区域免受后续湿蚀刻过程的富硅氧化硅层。 该方法的特征是通过PECVD方法沉积氧化硅层，无需RF偏压，使用高硅烷与氧气比，导致位于STI区周围的富含硅的氧化硅层。 富硅氧化硅层的低蚀刻速率保护硅氧化物STI区域免受用于去除二氧化物焊盘层的缓冲氢氟酸湿蚀刻工艺。