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1.发明申请Plasma processing method, storage medium storing program for implementing the method, and plasma processing apparatus 有权等离子体处理方法，用于实施该方法的存储介质存储程序和等离子体处理装置公开(公告)号：US20070134938A1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：US11299690
申请日：2005-12-13
申请人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
发明人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J2237/3341
摘要： A plasma processing method, which enables the etching controllability for a high-dielectric-constant insulating film to be improved. A substrate having a high-dielectric-constant gate insulating film and a hard mask formed thereon is subjected to etching processing using a plasma of a processing gas containing a noble gas and a reducing gas.
摘要翻译： 能够提高高介电常数绝缘膜的蚀刻控制性的等离子体处理方法。 使用含有惰性气体和还原气体的处理气体的等离子体对具有形成在其上的高介电常数栅极绝缘膜和硬掩模的基板进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：US20080261404A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：US12139029
申请日：2008-06-13
申请人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
发明人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J2237/3341
摘要： A plasma processing method, which enables the etching controllability for a high-dielectric-constant insulating film to be improved. A substrate having a high-dielectric-constant gate insulating film and a hard mask formed thereon is subjected to etching processing using a plasma of a processing gas containing a noble gas and a reducing gas.
摘要翻译： 能够提高高介电常数绝缘膜的蚀刻控制性的等离子体处理方法。 使用含有惰性气体和还原气体的处理气体的等离子体对具有形成在其上的高介电常数栅极绝缘膜和硬掩模的基板进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：US08030216B2
公开(公告)日：2011-10-04
申请号：US12139029
申请日：2008-06-13
申请人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
发明人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J2237/3341
摘要： A plasma processing method, which enables the etching controllability for a high-dielectric-constant insulating film to be improved. A substrate having a high-dielectric-constant gate insulating film and a hard mask formed thereon is subjected to etching processing using a plasma of a processing gas containing a noble gas and a reducing gas.
摘要翻译： 能够提高高介电常数绝缘膜的蚀刻控制性的等离子体处理方法。 使用含有惰性气体和还原气体的处理气体的等离子体对具有形成在其上的高介电常数栅极绝缘膜和硬掩模的基板进行蚀刻处理。
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公开(公告)号：US07405160B2
公开(公告)日：2008-07-29
申请号：US11299690
申请日：2005-12-13
申请人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
发明人： Shinichi Kozuka , Naoto Umehara
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/31122 , H01J2237/3341
摘要： A plasma processing method, which enables the etching controllability for a high-dielectric-constant insulating film to be improved. A substrate having a high-dielectric-constant gate insulating film and a hard mask formed thereon is subjected to etching processing using a plasma of a processing gas containing a noble gas and a reducing gas.
摘要翻译： 能够提高高介电常数绝缘膜的蚀刻控制性的等离子体处理方法。 使用含有惰性气体和还原气体的处理气体的等离子体对具有形成在其上的高介电常数栅极绝缘膜和硬掩模的基板进行蚀刻处理。
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