公开(公告)号：US07037797B1

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US09527873

申请日：2000-03-17

申请人： Sohaila Shooshtarian ,  Narasimha Acharya ,  Mike Elbert ,  Andreas Tillmann ,  Dieter Zernickel

发明人： Sohaila Shooshtarian ,  Narasimha Acharya ,  Mike Elbert ,  Andreas Tillmann ,  Dieter Zernickel

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/67109

摘要： The present invention is directed to an apparatus and process for locally heating and/or cooling of semiconductor wafers in thermal processing chambers. In particular, the apparatus of the present invention includes a device for heating or cooling localized regions of a wafer to control the temperature of such regions during one or more stages of a heat cycle. In one embodiment, gas nozzles eject gas towards the bottom of the wafer to provide localized temperature control. In another embodiment, a transparent gas pipe containing a variety of gas outlets distributes gas onto the top surface of the wafer to provide localized temperature control.

摘要翻译： 本发明涉及用于在热处理室中局部加热和/或冷却半导体晶片的装置和方法。 特别地，本发明的装置包括用于加热或冷却晶片的局部区域以在热循环的一个或多个阶段期间控制这些区域的温度的装置。 在一个实施例中，气体喷嘴朝向晶片的底部喷射气体以提供局部温度控制。 在另一个实施例中，包含各种气体出口的透明气体管道将气体分配到晶片的顶表面上以提供局部温度控制。