公开(公告)号：US07790616B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11896034

申请日：2007-08-29

申请人： Steven Mark Buchoff ,  Andrew Christian Loyd ,  Robert S. Howell

发明人： Steven Mark Buchoff ,  Andrew Christian Loyd ,  Robert S. Howell

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/0485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a silicide contact. The method comprises the steps of depositing a metal on a SiC substrate; forming an encapsulating layer on deposited metal; and annealing said deposited metal to form a silicide contact. The encapsulating layer prevents agglomeration and formation of stringers during the annealing process.

摘要翻译： 一种硅化物接触的制造方法。 该方法包括以下步骤：在SiC衬底上沉积金属; 在沉积的金属上形成封装层; 并退火所述沉积的金属以形成硅化物接触。 封装层在退火过程中防止了桁条的聚集和形成。

公开(公告)号：US20090057906A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US11896034

申请日：2007-08-29

申请人： Steven Mark Buchoff ,  Andrew Christian Loyd ,  Robert S. Howell

发明人： Steven Mark Buchoff ,  Andrew Christian Loyd ,  Robert S. Howell

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L21/0485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a silicide contact. The method comprises the steps of depositing a metal on a SiC substrate; forming an encapsulating layer on deposited metal; and annealing said deposited metal to form a suicide contact. The encapsulating layer prevents agglomeration and formation of stringers during the annealing process.

摘要翻译： 一种硅化物接触的制造方法。 该方法包括以下步骤：在SiC衬底上沉积金属; 在沉积的金属上形成封装层; 并退火所述沉积的金属以形成硅化物接触。 封装层在退火过程中防止了桁条的聚集和形成。