公开(公告)号：US5736443A

公开(公告)日：1998-04-07

申请号：US815483

申请日：1997-03-11

申请人： Sung Bin Park ,  Shin Kuk Lee ,  Suk Tae Hyun

发明人： Sung Bin Park ,  Shin Kuk Lee ,  Suk Tae Hyun

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7885 ,  H01L29/42328

摘要： This invention discloses a flash EEPROM cell and method of manufacturing the same, in which the flash EEPROM cell has two control gates which are symmetrical about a floating gate.

摘要翻译： 本发明公开了一种快闪EEPROM单元及其制造方法，其中快闪EEPROM单元具有两个关于浮动栅极对称的控制栅极。