公开(公告)号：US06288946B1

公开(公告)日：2001-09-11

申请号：US09722313

申请日：2000-11-28

申请人： Sung Hoon Hong ,  Jae Chun An ,  Mun Hwa Lee ,  Soo Min Cho

发明人： Sung Hoon Hong ,  Jae Chun An ,  Mun Hwa Lee ,  Soo Min Cho

IPC分类号： G11C1300

CPC分类号： G11C16/3409 ,  G11C16/3404

摘要： There is disclosed a method of erasing a flash memory device. The present invention implements a dummy recovery operation after a recovery operation for recovering the threshold voltage of an over-erased memory cell is implemented. Therefore, it can reduce the flow of the leakage current through bit lines to thus improve the program characteristic of the device.

摘要翻译： 公开了一种擦除闪速存储器件的方法。 本发明实现了用于恢复过擦除存储单元的阈值电压的恢复操作之后的虚拟恢复操作。 因此，可以减少通过位线的漏电流，从而提高器件的程序特性。