公开(公告)号：US20090146140A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12326936

申请日：2008-12-03

申请人： Tae-Whan KIM ,  Fushan LI ,  Young-Ho KIM ,  Jae-Hun JUNG

发明人： Tae-Whan KIM ,  Fushan LI ,  Young-Ho KIM ,  Jae-Hun JUNG

IPC分类号： H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0591 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/55 ,  H01L51/0046 ,  H01L2251/305 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/779 ,  Y10S977/785 ,  Y10S977/943

摘要： A nonvolatile organic bistable memory device includes a substrate, a lower electrode disposed on the substrate, a lower charge injection layer disposed on the lower electrode, an insulating polymer layer including nanoparticles disposed on the lower charge injection layer, an upper charge injection layer disposed on the insulating polymer layer, and an upper electrode disposed on the upper charge injection layer. The lower and upper charge injection layers each include fullerenes and/or carbon nanotubes.

摘要翻译： 非易失性有机双稳态存储器件包括衬底，设置在衬底上的下电极，设置在下电极上的下电荷注入层，包含设置在下电荷注入层上的纳米颗粒的绝缘聚合物层，上电荷注入层， 绝缘聚合物层和设置在上电荷注入层上的上电极。 下电荷注入层和上电荷注入层各自包括富勒烯和/或碳纳米管。