公开(公告)号：US20090236689A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12054105

申请日：2008-03-24

申请人： Terry K. Daly ,  Keri L. Costello ,  James G. Cotronakis ,  Jason R. Fender ,  Jeff S. Hughes ,  Agni Mitra ,  Adolfo C. Reyes

发明人： Terry K. Daly ,  Keri L. Costello ,  James G. Cotronakis ,  Jason R. Fender ,  Jeff S. Hughes ,  Agni Mitra ,  Adolfo C. Reyes

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/016 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： According to one aspect of the present invention, a method of forming a microelectronic assembly, such as an integrated passive device (72), is provided. An insulating initial dielectric layer (32) comprising charge trapping films of, for example, aluminum nitride or silicon nitride or silicon oxide or a combination thereof, is formed over a silicon substrate (20). At least one passive electronic component (62) is formed over the initial dielectric layer (32). In an embodiment where silicon nitride or oxide is used in the initial dielectric layer (32) in contact with the silicon substrate (20), it is desirable to pre-treat the silicon surface (22) by exposing it to a surface damage causing treatment (e.g. an argon plasma) prior to depositing the initial dielectric layer, to assist in providing carrier depletion near the silicon surface around zero bias. RF loss in integrated passive devices using such silicon substrates is equal or lower than that obtained with GaAs substrates.

摘要翻译： 根据本发明的一个方面，提供了一种形成微电子组件的方法，诸如集成无源器件（72）。 在硅衬底（20）上形成包括例如氮化铝或氮化硅或氧化硅或其组合的电荷捕获膜的绝缘初始介电层（32）。 在初始介电层（32）上形成至少一个无源电子部件（62）。 在与硅衬底（20）接触的初始电介质层（32）中使用氮化硅或氧化物的实施例中，期望通过将硅表面（22）暴露于导致处理的表面损伤来预处理硅表面（22） （例如氩等离子体），以便辅助在靠近零偏压的硅表面附近提供载流子耗尽。 使用这种硅衬底的集成无源器件中的RF损耗等于或低于用GaAs衬底获得的RF损耗。