公开(公告)号：US06438022B2

公开(公告)日：2002-08-20

申请号：US09854259

申请日：2001-05-10

申请人： Till Schlösser ,  Wolfgang Krautschneider ,  Franz Hofmann ,  Thomas-Peter Haneder

发明人： Till Schlösser ,  Wolfgang Krautschneider ,  Franz Hofmann ,  Thomas-Peter Haneder

IPC分类号： G11C1122

CPC分类号： H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11507

摘要： The memory cells of a memory cell configuration each have a selection transistor, a memory transistor and a ferroelectric capacitor. The selection transistor and the memory transistor are connected in series. The ferroelectric capacitor is connected between a control electrode of the memory transistor and a first terminal of the selection transistor.

摘要翻译： 存储单元结构的存储单元分别具有选择晶体管，存储晶体管和铁电电容器。 选择晶体管和存储晶体管串联连接。 铁电电容器连接在存储晶体管的控制电极和选择晶体管的第一端子之间。