公开(公告)号：US5686753A

公开(公告)日：1997-11-11

申请号：US777570

申请日：1996-12-31

申请人： Tomoyasu Miyata ,  Koichi Sakamoto ,  Katsutoshi Toyama ,  Masaaki Sueyoshi

发明人： Tomoyasu Miyata ,  Koichi Sakamoto ,  Katsutoshi Toyama ,  Masaaki Sueyoshi

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/74 ,  H01L27/095 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0661

摘要： In a Schottky barrier diode, concentration of an electrical field at an edge of an insulation layer is suppressed to improve the reverse breakdown voltage. An n- layer of a compound semiconductor substrate having an n+ layer and the n- layer is configured in the form of a mesa. An insulation layer is formed on at least a skirt portion and a slant portion of the mesa. An anode is formed on the insulation layer and n- layer, and a cathode is formed on the n+ layer. Thus, concentration of an electrical field at an edge of the insulation layer is canceled at least in part by an electrical field generated at the anode on the slant portion to improve the reverse breakdown voltage.

摘要翻译： 在肖特基势垒二极管中，抑制了绝缘层边缘处的电场浓度，以提高反向击穿电压。 具有n +层和n层的化合物半导体衬底的n-层被配置为台面的形式。 绝缘层形成在台面的至少裙部和倾斜部分上。 在绝缘层和n层上形成阳极，在n +层上形成阴极。 因此，至少部分地通过在倾斜部分上的阳极产生的电场抵消在绝缘层的边缘处的电场的集中，以提高反向击穿电压。