公开(公告)号：US20120072798A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13233096

申请日：2011-09-15

申请人： Tsutomu Unesaki ,  Kazuki Okawara

发明人： Tsutomu Unesaki ,  Kazuki Okawara

IPC分类号： G06F11/07

CPC分类号： G06F11/1012

摘要： According to one embodiment, a semiconductor device includes a NAND flash memory, an error correction unit, and a table. The NAND flash memory is configured to hold data. The error correction unit detects and corrects errors in the data. The table holds information on an error correction method associated with each piece of data. The error correction unit selects an error correction method to be applied for each piece of data in accordance with the information in the table.

摘要翻译： 根据一个实施例，半导体器件包括NAND闪速存储器，纠错单元和表格。 NAND闪存配置为保存数据。 纠错单元检测并纠正数据中的错误。 该表包含与每条数据相关联的纠错方法的信息。 误差校正单元根据表中的信息选择要应用于每条数据的纠错方法。