公开(公告)号：US20130295735A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13463819

申请日：2012-05-04

申请人： Tzung-I Tsai ,  Shui-Yen Lu

发明人： Tzung-I Tsai ,  Shui-Yen Lu

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A first structure and a second structure are formed on a substrate. An oxide layer is entirely formed to cover the first structure and the second structure. A nitride layer is formed to entirely cover the oxide layer. A dry etching process is performed to remove a part of the nitride layer on the first structure. A wet etching process is performed to entirely remove the nitride layer and the oxide layer on the first structure and the second structure.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 在基板上形成第一结构和第二结构。 完全形成氧化物层以覆盖第一结构和第二结构。 形成氮化物层以完全覆盖氧化物层。 执行干蚀刻处理以去除第一结构上的氮化物层的一部分。 执行湿蚀刻工艺以完全去除第一结构和第二结构上的氮化物层和氧化物层。

公开(公告)号：US08835243B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13463819

申请日：2012-05-04

申请人： Tzung-I Tsai ,  Shui-Yen Lu

发明人： Tzung-I Tsai ,  Shui-Yen Lu

IPC分类号： H01L21/8248

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092

摘要： A semiconductor process includes the following steps. A first structure and a second structure are formed on a substrate. An oxide layer is entirely formed to cover the first structure and the second structure. A nitride layer is formed to entirely cover the oxide layer. A dry etching process is performed to remove a part of the nitride layer on the first structure. A wet etching process is performed to entirely remove the nitride layer and the oxide layer on the first structure and the second structure.

摘要翻译： 半导体工艺包括以下步骤。 在基板上形成第一结构和第二结构。 完全形成氧化物层以覆盖第一结构和第二结构。 形成氮化物层以完全覆盖氧化物层。 执行干蚀刻处理以去除第一结构上的氮化物层的一部分。 执行湿蚀刻工艺以完全去除第一结构和第二结构上的氮化物层和氧化物层。