公开(公告)号：US20140282295A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13802833

申请日：2013-03-14

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORP.

Inventor： Chun-Hsien Huang ,  Ming-Jui Chen ,  Ching-Chun Huang ,  Chia-Wei Huang ,  Yu-Feng Chao ,  Yu-Chuan Chang

IPC: G06F17/50

CPC classification number: H01L21/76816 ,  G03F1/36 ,  H01L21/76807

Abstract: The present invention provides a method for forming at least a photo mask. A first photo-mask pattern relating to a first structure is provides. A second photo-mask pattern relating to a second structure is provides. A third photo-mask pattern relating to a third structure is provides. The first structure, the second structure and the third structure are disposed in a semiconductor structure in sequence. An optical proximity process including a comparison step is provided, wherein the comparison step includes comparing the first photo-mask pattern and the third photo-mask pattern. Last, the first photo-mask pattern is import to form a first mask, the second photo-mask pattern is import to form a second mask, and the third photo-mask pattern is import to form a third mask. The present invention further provides an OPC method.

Abstract translation: 本发明提供一种至少形成光掩模的方法。 提供与第一结构相关的第一光掩模图案。 提供与第二结构相关的第二光掩模图案。 提供了与第三结构相关的第三光掩模图案。 第一结构，第二结构和第三结构依次设置在半导体结构中。 提供了包括比较步骤的光学邻近处理，其中比较步骤包括比较第一光掩模图案和第三光掩模图案。 最后，导入第一光掩模图案以形成第一掩模，第二光掩模图案被导入以形成第二掩模，并且导入第三光掩模图案以形成第三掩模。 本发明还提供一种OPC方法。