公开(公告)号：US07317203B2

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US11189180

申请日：2005-07-25

申请人： Wen-Yi Chen ,  Jun-Yean Chiu ,  Chung Lee ,  Hung-Hon Lui

发明人： Wen-Yi Chen ,  Jun-Yean Chiu ,  Chung Lee ,  Hung-Hon Lui

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A 3-dimensional PCM structure and method for using the same for carrying out 3-dimensional integrated circuit wiring electrical testing and failure analysis in an integrated circuit manufacturing process, the method including forming a first metallization layer; carrying out a first wafer acceptance testing (WAT) process to test the electrical continuity of the first metallization layer; forming first metal vias on the first metallization layer conductive portions and a second metallization layer comprising metal islands on the first metal vias wherein the metal islands electrically communicate with the first metallization layer to form a process control monitor (PCM) structure; and, carrying out a second WAT process to test the electrical continuity of the first metallization layer.

摘要翻译： 一种用于在集成电路制造工艺中进行三维集成电路布线电气测试和故障分析的三维PCM结构及其方法，所述方法包括形成第一金属化层; 执行第一晶片验收测试（WAT）过程以测试第一金属化层的电连续性; 在所述第一金属化层导电部分上形成第一金属通孔，以及在所述第一金属通孔上形成包含金属岛的第二金属化层，其中所述金属岛与所述第一金属化层电连通以形成过程控制监视器（PCM）结构; 以及进行第二WAT处理以测试第一金属化层的电连续性。

公开(公告)号：US20070020778A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11189180

申请日：2005-07-25

申请人： Cheng Yi ,  Chiou Yean ,  Hung-Hon Lui ,  Lee Chung

发明人： Cheng Yi ,  Chiou Yean ,  Hung-Hon Lui ,  Lee Chung

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/32 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A 3-dimensional PCM structure and method for using the same for carrying out 3-dimensional integrated circuit wiring electrical testing and failure analysis in an integrated circuit manufacturing process, the method including forming a first metallization layer; carrying out a first wafer acceptance testing (WAT) process to test the electrical continuity of the first metallization layer; forming first metal vias on the first metallization layer conductive portions and a second metallization layer comprising metal islands on the first metal vias wherein the metal islands electrically communicate with the first metallization layer to form a process control monitor (PCM) structure; and, carrying out a second WAT process to test the electrical continuity of the first metallization layer.

摘要翻译： 一种用于在集成电路制造工艺中进行三维集成电路布线电气测试和故障分析的三维PCM结构及其方法，所述方法包括形成第一金属化层; 执行第一晶片验收测试（WAT）过程以测试第一金属化层的电连续性; 在所述第一金属化层导电部分上形成第一金属通孔，以及在所述第一金属通孔上形成包含金属岛的第二金属化层，其中所述金属岛与所述第一金属化层电连通以形成过程控制监视器（PCM）结构; 以及进行第二WAT处理以测试第一金属化层的电连续性。