公开(公告)号：US07063921B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10667552

申请日：2003-09-22

申请人： Wolfgang Dettman ,  Josef Mathuni ,  Oliver Fagerer ,  Bettina Schiessl ,  Stephen Rahn

发明人： Wolfgang Dettman ,  Josef Mathuni ,  Oliver Fagerer ,  Bettina Schiessl ,  Stephen Rahn

IPC分类号： G01F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F1/34 ,  G03F1/30 ,  G03F1/36 ,  G03F1/40 ,  Y10T403/5773

摘要： The invention relates to a method for the production of masks, in particular for the production of alternating phase shift masks (1), or of chromeless phase shift masks or phase shift masks structured by quartz etching, respectively, as well as to a mask (1), in particular photomask, for the production of semiconductor devices, comprising at least one product field area (6a) and a compensation structure (5) positioned outside the product field area (6a), wherein the compensation structure (5) comprises at least one electroconductive region (8b) that is electrically connected with the product field area (6a).

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造掩模的方法，特别是用于生产交替相移掩模（1）或由石英蚀刻构成的无铬相移掩模或相移掩模以及掩模（ 1），特别是光掩模，用于生产半导体器件，包括至少一个产品场区（6a）和位于产品场区（6a）外部的补偿结构（5），其中补偿结构（5） 包括与产品场区域（6a）电连接的至少一个导电区域（8b）。