公开(公告)号：US20080052660A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11830265

申请日：2007-07-30

申请人： Woo-seok SHIM ,  Moon-Hyun YOO ,  Chun-Suk SUH ,  Jung-Hyeon LEE ,  Ji-Suk HONG ,  Yong-Hee PARK

发明人： Woo-seok SHIM ,  Moon-Hyun YOO ,  Chun-Suk SUH ,  Jung-Hyeon LEE ,  Ji-Suk HONG ,  Yong-Hee PARK

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of correcting a design pattern of a mask takes into account the overlay margin between adjacent one of actual patterns that are stacked on a substrate. First, a pattern of a photomask for forming a first one of the actual patterns on a substrate is conceived. Also, information representing the image of a second one of the actual patterns is produced. Then, optical proximity correction (OPC) is performed on the first pattern based on the information. The information may be obtained by simulating the transcription of a photomask having a second pattern designed to form the second actual pattern, or by forming the second actual pattern and then capturing the image of the second actual pattern. Accordingly, a sufficient margin is provided between the second actual pattern and the first pattern on which the optical proximity correction has been performed.

摘要翻译： 校正掩模的设计图案的方法考虑了堆叠在基板上的相邻的一个实际图案之间的覆盖边缘。 首先，设想用于在基板上形成第一种实际图案的光掩模图案。 此外，产生表示第二实际图案的图像的信息。 然后，基于该信息对第一图案执行光学邻近校正（OPC）。 可以通过模拟具有被设计为形成第二实际图案的第二图案的光掩模的转录或通过形成第二实际图案然后捕获第二实际图案的图像来获得信息。 因此，在第二实际图案和已进行光学邻近校正的第一图案之间提供足够的余量。