公开(公告)号：US08384179B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12835656

申请日：2010-07-13

申请人： Yadong Jiang ,  Jing Jiang ,  Anyuan Zhang ,  Zhengyu Guo ,  Guodong Zhao ,  Zhiming Wu ,  Wei Li

发明人： Yadong Jiang ,  Jing Jiang ,  Anyuan Zhang ,  Zhengyu Guo ,  Guodong Zhao ,  Zhiming Wu ,  Wei Li

IPC分类号： H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022475

摘要： A black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector includes a silicon substrate and a black silicon layer formed on the silicon substrate. An interdigitated electrode pattern structure is formed on the black silicon layer, which can be a planar or U-shaped structure. A thin potential barrier layer is deposited at the interdigitated electrode pattern structure. An Al or transparent conductive ITO thin film is deposited on the thin potential barrier layer. A passivation layer is provided on the black silicon layer. In the black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector, the black silicon layer, as a light-sensitive area, can respond to ultraviolet, visible and near infrared light.

摘要翻译： 黑色硅基金属 - 半导体 - 金属光电探测器包括硅衬底和形成在硅衬底上的黑色硅层。 在黑色硅层上形成交错的电极图案结构，其可以是平面或U形结构。 在交叉电极图案结构处沉积薄势垒层。 在薄势垒层上沉积Al或透明导电ITO薄膜。 钝化层设置在黑色硅层上。 在黑色硅基金属 - 半导体 - 金属光电探测器中，作为感光区域的黑色硅层可以对紫外线，可见光和近红外光进行响应。

公开(公告)号：US20120012967A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US12835656

申请日：2010-07-13

申请人： Yadong Jiang ,  Guodong Zhao ,  Zhiming Wu ,  Wei Li ,  Jing Jiang ,  Anyuan Zhang ,  Zhengyu Guo

发明人： Yadong Jiang ,  Guodong Zhao ,  Zhiming Wu ,  Wei Li ,  Jing Jiang ,  Anyuan Zhang ,  Zhengyu Guo

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1085 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022475

摘要： A black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector includes a silicon substrate and a black silicon layer formed on the silicon substrate. An interdigitated electrode pattern structure is formed on the black silicon layer, which can be a planar or U-shaped structure. A thin potential barrier layer is deposited at the interdigitated electrode pattern structure. An Al or transparent conductive ITO thin film is deposited on the thin potential barrier layer. A passivation layer is provided on the black silicon layer. In the black silicon based metal-semiconductor-metal photodetector, the black silicon layer, as a light-sensitive area, can respond to ultraviolet, visible and near infrared light.

摘要翻译： 黑色硅基金属 - 半导体 - 金属光电探测器包括硅衬底和形成在硅衬底上的黑色硅层。 在黑色硅层上形成交错的电极图案结构，其可以是平面或U形结构。 在交叉电极图案结构处沉积薄势垒层。 在薄势垒层上沉积Al或透明导电ITO薄膜。 钝化层设置在黑色硅层上。 在黑色硅基金属 - 半导体 - 金属光电探测器中，作为感光区域的黑色硅层可以对紫外线，可见光和近红外光进行响应。