公开(公告)号：US09362515B2

公开(公告)日：2016-06-07

申请号：US13002584

申请日：2009-07-07

申请人： Yasunori Uetani ,  Yoshiaki Honda ,  Yukiko Takenaka

发明人： Yasunori Uetani ,  Yoshiaki Honda ,  Yukiko Takenaka

IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L51/42 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  Y02E10/549

摘要： Disclosed is a photoelectric conversion element comprising an anode, a cathode, and an active layer between the anode and the cathode, wherein the active layer includes an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, and an area of a p-n junction between the n-type semiconductor and the p-type semiconductor is 100 μm2 or more per 1 μm3 of the active layer.

摘要翻译： 公开了一种光电转换元件，其包括在阳极和阴极之间的阳极，阴极和有源层，其中有源层包括n型半导体和p型半导体，以及p型结的区域 n型半导体和p型半导体为每1μm3活性层为100μm2以上。

公开(公告)号：US20110108884A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US13002584

申请日：2009-07-07

申请人： Yasunori Uetani ,  Yoshiaki Honda ,  Yukiko Takenaka

发明人： Yasunori Uetani ,  Yoshiaki Honda ,  Yukiko Takenaka

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L51/4253 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  Y02E10/549

摘要： Disclosed is a photoelectric conversion element comprising an anode, a cathode, and an active layer between the anode and the cathode, wherein the active layer includes an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, and an area of a p-n junction between the n-type semiconductor and the p-type semiconductor is 100 μm2 or more per 1 μm3 of the active layer.

摘要翻译： 公开了一种光电转换元件，其包括在阳极和阴极之间的阳极，阴极和有源层，其中有源层包括n型半导体和p型半导体，以及p型结的区域 n型半导体和p型半导体为每1μm3活性层为100μm2以上。