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    Oxidation method for removing fluorine gas inside polysilicon during semiconductor manufacturing to prevent delamination of subsequent layer induced by fluorine outgassing dielectric
    1.
    发明授权
    Oxidation method for removing fluorine gas inside polysilicon during semiconductor manufacturing to prevent delamination of subsequent layer induced by fluorine outgassing dielectric 失效
    用于在半导体制造期间去除多晶硅内的氟气的氧化方法以防止由氟除气介电层引起的后续层的分层

    公开(公告)号：US5811343A

    公开(公告)日：1998-09-22

    申请号：US683645

    申请日：1996-07-15

    申请人： Yeh-Jye Wann ,  An-Min Chiang ,  Shaun-Tsung Yu ,  Pei-Hung Chen

    发明人： Yeh-Jye Wann ,  An-Min Chiang ,  Shaun-Tsung Yu ,  Pei-Hung Chen

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265

    CPC分类号： H01L29/66575 ,  H01L21/8234

    摘要： A method for manufacturing integrated circuit semiconductor device is provided for doping polysilicon formed on an N-well in a semiconductor substrate. Form a silicon oxide layer on the N-well. Then form a blanket polysilicon layer over the silicon oxide layer and pattern the polysilicon layer into a structure. Form a sacrificial oxide layer over the polysilicon structure. Then ion implant .sup.49 (BF.sub.2).sup.+ ions into the N-well and the polysilicon layer forming the source/drain regions and doping the polysilicon layer with P-type dopant thereby forming a doped polysilicon layer from the polysilicon layer. Then etch the sacrificial oxide layer away from the device. Form a polyoxide layer over the polysilicon structure. Then form a silicon oxide layer over the polyoxide layer followed by forming a glass layer thereover.

    摘要翻译： 提供一种用于制造集成电路半导体器件的方法，用于掺杂形成在半导体衬底中的N阱上的多晶硅。 在N阱上形成氧化硅层。 然后在氧化硅层上形成覆盖多晶硅层，并将多晶硅层图案化成结构。 在多晶硅结构上形成牺牲氧化层。 然后将离子注入49（BF 2）+离子注入N阱和形成源极/漏极区的多晶硅层，并用P型掺杂剂掺杂多晶硅层，从而从多晶硅层形成掺杂多晶硅层。 然后将牺牲氧化层蚀刻离开器件。 在多晶硅结构上形成多氧化物层。 然后在多氧化物层上形成氧化硅层，然后在其上形成玻璃层。