公开(公告)号：US20090217966A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12295712

申请日：2007-09-03

申请人： Young-Joo Eo ,  Hwa-Nyeon Kim ,  Seh-Won Ahn ,  Hae-Seok Lee ,  Heon-Min Lee ,  Jung-Heum Yun ,  Kwang-Sun Ji ,  Bum-Sung Kim

发明人： Young-Joo Eo ,  Hwa-Nyeon Kim ,  Seh-Won Ahn ,  Hae-Seok Lee ,  Heon-Min Lee ,  Jung-Heum Yun ,  Kwang-Sun Ji ,  Bum-Sung Kim

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/18 ,  H01L31/09

CPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

摘要： The present invention relates to a photovoltaic conversion apparatus including a by-pass diode and a manufacturing method thereof. The photovoltaic conversion apparatus of the present invention comprises at least one unit solar cell module configured of at least one unit solar cell; and a by-pass solar cell module including at least one solar cell electrically connected to the unit solar cell to by-pass current.According to the present invention, a photovoltaic conversion apparatus having high photoelectric conversion efficiency can be manufactured. Also, the photovoltaic conversion apparatus will contribute to earths environmental conservation as the next clean energy source and can be directly applied to private facilities, public facilities, military facilities, etc., to create enormous economic value.

摘要翻译： 本发明涉及一种包括旁路二极管的光电转换装置及其制造方法。 本发明的光电转换装置包括由至少一个单位太阳能电池构成的至少一个单元太阳能电池模块; 以及旁路太阳能电池模块，其包括电连接到所述单元太阳能电池以旁路电流的至少一个太阳能电池。 根据本发明，可以制造具有高光电转换效率的光电转换装置。 此外，光伏转换装置将作为下一个清洁能源对地球环境保护作出贡献，可以直接应用于私人设施，公共设施，军事设施等，创造巨大的经济价值。

公开(公告)号：US08003423B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12520673

申请日：2008-01-09

申请人： Jung-Heum Yun ,  Kwy-Ro Lee ,  Don-Hee Lee ,  Heon-Min Lee

发明人： Jung-Heum Yun ,  Kwy-Ro Lee ,  Don-Hee Lee ,  Heon-Min Lee

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/1872 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing a poly-crystal silicon photovoltaic device using horizontal metal induced crystallization comprises the steps of forming at least one layer of an amorphous silicon thin film on a substrate, forming at least one groove of which depth is less than or equal to that of the thin film on the amorphous silicon thin film, and horizontally crystallizing the amorphous silicon thin film by forming a metal layer on an upper portion of the groove. Since a crystal shape and a growth direction of the photovoltaic device can be adjusted by the method, a poly-crystal silicon thin film for improving current flow can be formed at a low-temperature.

摘要翻译： 使用水平金属诱导结晶的多晶硅光电装置的制造方法包括在基板上形成至少一层非晶硅薄膜的步骤，形成深度小于或等于该深度的至少一个凹槽 的非晶硅薄膜上的薄膜，并且通过在凹槽的上部形成金属层来水平结晶非晶硅薄膜。 由于可以通过该方法调整光电器件的晶体形状和生长方向，所以可以在低温下形成用于改善电流的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：US20100093126A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12520673

申请日：2008-01-09

申请人： Jung-Heum Yun ,  Kwy-Ro Lee ,  Don-Hee Lee ,  Heon-Min Lee

发明人： Jung-Heum Yun ,  Kwy-Ro Lee ,  Don-Hee Lee ,  Heon-Min Lee

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1872 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing a poly-crystal silicon photovoltaic device using horizontal metal induced crystallization comprises the steps of forming at least one layer of an amorphous silicon thin film on a substrate, forming at least one groove of which depth is less than or equal to that of the thin film on the amorphous silicon thin film, and horizontally crystallizing the amorphous silicon thin film by forming a metal layer on an upper portion of the groove. Since a crystal shape and a growth direction of the photovoltaic device can be adjusted by the method, a poly-crystal silicon thin film for improving current flow can be formed at a low-temperature.

摘要翻译： 使用水平金属诱导结晶的多晶硅光电装置的制造方法包括在基板上形成至少一层非晶硅薄膜的步骤，形成深度小于或等于该深度的至少一个凹槽 的非晶硅薄膜上的薄膜，并且通过在凹槽的上部形成金属层来水平结晶非晶硅薄膜。 由于可以通过该方法调整光电器件的晶体形状和生长方向，所以可以在低温下形成用于改善电流的多晶硅薄膜。

公开(公告)号：US08827536B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13820053

申请日：2013-02-22

申请人： Gun-Hwan Lee ,  Jung-Heum Yun ,  Sung-Hun Lee

发明人： Gun-Hwan Lee ,  Jung-Heum Yun ,  Sung-Hun Lee

IPC分类号： F21V8/00 ,  G09F13/22 ,  G09F9/00 ,  F21V21/00 ,  H04M1/02

CPC分类号： H05K5/0234 ,  F21V21/00 ,  G09F9/00 ,  G09F13/22 ,  H04M1/0202 ,  H04M1/0268 ,  H04M1/0283 ,  H05K5/0017

摘要： In one embodiment, the display device includes a display panel and a support frame. The display panel includes a flexible upper substrate, at least one light emitting diode, and a flexible lower substrate (30). The display panel has a display area formed at a portion corresponding to the light emitting diode, and a non-display area formed at a portion other than the display area. The display panel is coupled to the support frame such that a portion of the non-display area is bent with respect to the display area.

摘要翻译： 在一个实施例中，显示装置包括显示面板和支撑框架。 显示面板包括柔性上基板，至少一个发光二极管和柔性下基板（30）。 显示面板具有形成在与发光二极管相对应的部分的显示区域和形成在显示区域以外的部分的非显示区域。 显示面板联接到支撑框架，使得非显示区域的一部分相对于显示区域弯曲。

公开(公告)号：US20140126228A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：US13820053

申请日：2013-02-22

申请人： Gun-Hwan Lee ,  Jung-Heum Yun ,  Sung-Hun Lee

发明人： Gun-Hwan Lee ,  Jung-Heum Yun ,  Sung-Hun Lee

IPC分类号： F21V21/00

CPC分类号： H05K5/0234 ,  F21V21/00 ,  G09F9/00 ,  G09F13/22 ,  H04M1/0202 ,  H04M1/0268 ,  H04M1/0283 ,  H05K5/0017

摘要： In one embodiment, the display device includes a display panel and a support frame. The display panel includes a flexible upper substrate, at least one light emitting diode, and a flexible lower substrate (30). The display panel has a display area formed at a portion corresponding to the light emitting diode, and a non-display area formed at a portion other than the display area. The display panel is coupled to the support frame such that a portion of the non-display area is bent with respect to the display area.

摘要翻译： 在一个实施例中，显示装置包括显示面板和支撑框架。 显示面板包括柔性上基板，至少一个发光二极管和柔性下基板（30）。 显示面板具有形成在与发光二极管相对应的部分的显示区域和形成在显示区域以外的部分的非显示区域。 显示面板联接到支撑框架，使得非显示区域的一部分相对于显示区域弯曲。